近日，山東煙臺(tái)開發(fā)區(qū)經(jīng)發(fā)科創(chuàng)局發(fā)布《黃渤海新區(qū)關(guān)于加快特色半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（征求意見稿）（以下簡(jiǎn)稱“《征求意見稿》”），擬促進(jìn)該區(qū)特色半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升，培育完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，打造中國(guó)北方最具競(jìng)爭(zhēng)力的特色半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地。

 

　　根據(jù)《征求意見稿》，山東煙臺(tái)黃渤海新區(qū)將聚焦光電、功率、高端通用芯片三個(gè)主攻方向，重點(diǎn)支持自主研發(fā)的CPU、GPU等高端通用芯片和人工智能等專用芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，以IGBT器件、高端MEMS、半導(dǎo)體傳感器等為代表的制造、封測(cè)環(huán)節(jié)以及半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備、先進(jìn)材料全產(chǎn)業(yè)鏈條要素生產(chǎn)領(lǐng)域。

 

　　《征求意見稿》明確指出了七大項(xiàng)扶持舉措，具體包括支持產(chǎn)品研發(fā)流片、支持購(gòu)買EDA軟件和IP、支持降低運(yùn)營(yíng)成本、支持規(guī)模化發(fā)展、支持企業(yè)做優(yōu)做強(qiáng)、支持企業(yè)開拓市場(chǎng)、支持人才引進(jìn)和培養(yǎng)。

 

　　支持產(chǎn)品研發(fā)流片：對(duì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品開展多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片的，按照不超過其MPW流片直接費(fèi)用的70%補(bǔ)助，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)助總額最高300萬元。對(duì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品開展首輪全掩膜工程流片的，按照不超過其首輪流片費(fèi)用的50%補(bǔ)助，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)助總額最高500萬元。補(bǔ)貼年限自首次享受起連續(xù)計(jì)算，總年限不超過3年。

 

　　支持購(gòu)買EDA軟件和IP：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)購(gòu)買電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具軟件的，按照不超過實(shí)際發(fā)生費(fèi)用的30%補(bǔ)助，每家企業(yè)年度補(bǔ)貼總額最高300萬元。對(duì)企業(yè)購(gòu)買非關(guān)聯(lián)企業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）開展高端芯片或特色工藝芯片研發(fā)的，按照不超過直接費(fèi)用的50%補(bǔ)助，每家企業(yè)年度補(bǔ)貼總額最高300萬元。補(bǔ)貼年限自首次享受起連續(xù)計(jì)算，總年限不超過3年。

 

　　支持降低運(yùn)營(yíng)成本：對(duì)入駐煙臺(tái)光電傳感產(chǎn)業(yè)園、創(chuàng)新苗圃等雙創(chuàng)載體、特色園區(qū)的給予辦公用房不超過500平方米、生產(chǎn)用房不超過1500平方米的5年房租補(bǔ)貼，每戶企業(yè)最高補(bǔ)貼200萬元。其中：辦公用房300平方米以內(nèi)，前3年補(bǔ)貼全額房租，后2年補(bǔ)貼50%；超過300平方米部分，前3年補(bǔ)貼房租的50%，后2年收取全價(jià)房租。生產(chǎn)用房前2年全額補(bǔ)貼，超出部分收取全價(jià)房租。企業(yè)（項(xiàng)目）建設(shè)萬級(jí)以上潔凈車間等研發(fā)生產(chǎn)用房的，按照不超過固定資產(chǎn)實(shí)際投資額（不含土地購(gòu)買和廠房建設(shè)費(fèi)用）30%給予補(bǔ)貼，每個(gè)企業(yè)補(bǔ)助總額不超過800萬元。

 

　　支持規(guī)模化發(fā)展：年度營(yíng)業(yè)收入首次突破5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，分別給予不超過50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元一次性獎(jiǎng)勵(lì)。年度營(yíng)業(yè)收入首次突破5億元、10億元、20億元的集成電路制造、封測(cè)等企業(yè)，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。對(duì)年度營(yíng)業(yè)收入首次突破1億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料等企業(yè)，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。同一企業(yè)若滿足多項(xiàng)條件，按照“就高不重復(fù)、晉級(jí)補(bǔ)差”原則給予獎(jiǎng)勵(lì)。

 

　　支持企業(yè)做優(yōu)做強(qiáng)：首次認(rèn)定的省級(jí)、市級(jí)瞪羚企業(yè)，分別給予一次性獎(jiǎng)勵(lì)50萬元、10萬元。首次認(rèn)定的國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，給予一次性獎(jiǎng)勵(lì)200萬元。首次認(rèn)定的省級(jí)、市級(jí)專精特新企業(yè)分別給予20萬元、5萬元獎(jiǎng)勵(lì)。首次認(rèn)定的省級(jí)獨(dú)角獸企業(yè)，按其上一年度區(qū)級(jí)地方經(jīng)濟(jì)貢獻(xiàn)的30%給予一次性獎(jiǎng)勵(lì)，最高600萬元。

 

　　支持企業(yè)開拓市場(chǎng)：在半導(dǎo)體芯片、器件、模組等新產(chǎn)品在信創(chuàng)、國(guó)防軍工產(chǎn)業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)首次單筆訂單金額達(dá)到1000萬元以上的，經(jīng)審核認(rèn)定后按照不超過訂單實(shí)際發(fā)生金額的10%給予支持，最高不超過500萬元。鼓勵(lì)企業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景首試首用，對(duì)新開發(fā)的試制品和首次投向市場(chǎng)的新產(chǎn)品，財(cái)政性投資項(xiàng)目采購(gòu)人依法采用單一來源采購(gòu)方式開展采購(gòu)活動(dòng)。

 

　　支持人才引進(jìn)和培養(yǎng)：鼓勵(lì)半導(dǎo)體企業(yè)招引產(chǎn)業(yè)相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生來區(qū)就業(yè)，給予企業(yè)獎(jiǎng)補(bǔ)，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)貼總額最高20萬元。補(bǔ)貼年限自首次享受起連續(xù)計(jì)算，總年限不超過3年。鼓勵(lì)有條件的區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)與高校合作共建高端人才和技能型人才培養(yǎng)基地，經(jīng)認(rèn)定符合條件的培養(yǎng)基地項(xiàng)目，給予最高不超過200萬元一次性補(bǔ)助。